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$5000
IXFX26N90
26 Amps MOSFET with 900V and 0.3 Rds
Marques: IXYS CORP
Pièce Fabricant #: IXFX26N90
Fiche de données: IXFX26N90 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
Statut RoHS:
État des stocks: 7 707 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $22,087 | $22,087 |
| 200 | $8,548 | $1709,600 |
| 500 | $8,248 | $4124,000 |
| 1000 | $8,099 | $8099,000 |
En stock: 7 707 PC
IXFX26N90 Description générale
Designed for both hard switching and resonant mode applications, the N-Channel HiPerFET™ Standard series, including product IXFX26N90, is an ideal choice for power MOSFETs. With its low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, this series offers reliability and high performance. Available in a variety of standard industrial packages, including isolated types, the N-Channel HiPerFET™ Standard series provides engineers and designers with a versatile and convenient solution for their power MOSFET needs
Caractéristiques
- Ultra-Low On-State Resistance
- High Frequency Response
- Low Noise Emissions
- Compact Package Design
Application
- Efficient power solution
- Compact and reliable
- Cost-effective option
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | IXYS CORP |
| Package Description | PLUS247, 3 PIN | Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Additional Feature | AVALANCHE RATED | Avalanche Energy Rating (Eas) | 3000 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 900 V | Drain Current-Max (ID) | 26 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.3 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PSIP-T3 | JESD-609 Code | e1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 560 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 104 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TIN SILVER COPPER | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXFX26N90 chip is a power MOSFET designed for high-performance applications. It features a low on-state resistance, high current capability, and excellent thermal performance. This chip is commonly used in power supply, motor control, and other high-power applications where efficient power management is critical.
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Equivalent
There are no direct equivalent products to the IXFX26N90 chip. However, similar power MOSFET chips from different manufacturers include Infineon's IRFPE40 and STMicroelectronics' STW20N90K5. It is recommended to consult datasheets and technical specifications to determine compatibility and suitability for your specific application. -
Features
1. IXFX26N90 is a power MOSFET transistor. 2. It has a voltage rating of 900V and a continuous current rating of 26A. 3. The transistor is compact and designed for high power applications. 4. It has low on-state resistance and high switching speed. 5. IXFX26N90 is suitable for use in power supplies, motor controls, and other high-power electronic circuits. -
Pinout
The IXFX26N90 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. It is used for high power applications such as motor control and power supplies. -
Manufacturer
The IXFX26N90 is manufactured by IXYS Corporation, a leading global manufacturer of power semiconductors, integrated circuits, and other advanced electronics technologies. They specialize in developing high-performance power switching and control devices for a wide range of industries, including automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IXFX26N90 is a high voltage power MOSFET commonly used in applications such as power supplies, motor drives, and high frequency inverters. It is also suitable for use in welding equipment, induction heating, and other industrial and automotive applications requiring high power and efficiency. -
Package
The IXFX26N90 chip is in a TO-247 package, with a through-hole form factor, and a size of approximately 17.5mm x 11.3mm x 4.6mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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