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ON FQA140N10
Transistor MOSFET with N-type channel, capable of handling up to 100 volts and 140 amps, packaged in TO-3P(N) format
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FQA140N10
Fiche de données: FQA140N10 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-3PN-3
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2556 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFQA140N10 Description générale
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Caractéristiques
- 140A, 100V
RDS(on) = 10mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 70A - Low gate charge ( Typ. 220nC)
- Low Crss ( Typ. 470pF)
- 100% avalanche tested
- 175°C maximum junction temperature rating
Application
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- Workstation
- Server & Mainframe
- Desktop PC
- AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
- Switched Mode Power Supplies
- Audio Amplifiers
- DC Mode Control
- Variable Switching Power Applications
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-3PN-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 140 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 285 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 375 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | QFET | Series | FQA140N10 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 360 ns | Forward Transconductance - Min | 80 S |
| Height | 20.1 mm | Length | 16.2 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 940 ns |
| Factory Pack Quantity | 450 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 350 ns | Typical Turn-On Delay Time | 75 ns |
| Width | 5 mm | Part # Aliases | FQA140N10_NL |
| Unit Weight | 0.162260 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FQA140N10 is a power MOSFET chip designed for high-performance applications. It has a low resistance and can handle high currents, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other demanding applications. This chip offers excellent thermal performance and high efficiency, making it a reliable choice for various power electronic designs.
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Equivalent
Some equivalent products of the FQA140N10 chip include the IRF1405, IRFB3077, IRFP240, and FDS 6680A. -
Features
The FQA140N10 is a power MOSFET transistor with a 100V voltage rating and 140A current rating. It has a low on-resistance of 0.014 ohms, ensuring high efficiency. This device also features a low gate charge and is designed for use in power supply, motor control, and industrial applications. -
Pinout
The FQA140N10 is a 100V N-Channel MOSFET transistor. It has a TO-3P package with 3 pins. The pin configuration is gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQA140N10 is the company Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a leading global supplier of high-performance power and mobile products, specializing in the design, development, and manufacturing of power semiconductors and integrated circuits. -
Application Field
The FQA140N10 is a power MOSFET transistor commonly used in high-current applications such as motor drives, power supplies, and automotive systems. Its low on-resistance and high switching speed make it suitable for high-power and high-efficiency applications. -
Package
The FQA140N10 chip comes in a package type known as TO-3P. Its form is transistor. The size refers to its dimensions, which are typically 10.41mm x 16.51mm.
Fiche de données PDF
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Definitely worth the investment for the level of quality provided.